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TGF2819-FL

TGF2819-FL资料
TGF2819-FL
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Manufacturer:Qorvo
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  1PCS 100PCS 1K 10K  
价 格 3000  
 
 
型 号:TGF2819-FL
厂 家:Qorvo
封 装:射频结栅场效应晶体管
批 号:最新
数 量:1000
说 明:

制造商: Qorvo

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS: 符合RoHS 详细信息

晶体管类型: HEMT

技术: GaN SiC

频率: 3.5 GHz

增益: 14 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 32 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.9 V

Id-连续漏极电流: 7.32 A

输出功率: 100 W

最大漏极/栅极电压: 145 V

最大工作温度: + 85 C

Pd-功率耗散: 86 W

安装风格: Screw

封装: Tray

商标: TriQuint (Qorvo)

配置: Single

开发套件: TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD

最小工作温度: - 40 C

工作温度范围: - 40 C to + 85 C


 
 
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