TGF2819-FL

制造商: Qorvo

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS: 符合RoHS 详细信息

晶体管类型: HEMT

技术: GaN SiC

频率: 3.5 GHz

增益: 14 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 32 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 2.9 V

Id-连续漏极电流: 7.32 A

输出功率: 100 W

最大漏极/栅极电压: 145 V

最大工作温度: + 85 C

Pd-功率耗散: 86 W

安装风格: Screw

封装: Tray

商标: TriQuint (Qorvo)

配置: Single

开发套件: TGF2819-FS/FL, EVAL BOARD

最小工作温度: - 40 C

工作温度范围: - 40 C to + 85 C