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| FQB50N06LTM资料 | |
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FQB50N06LTM PDF Download |
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File Size : 116 KB
Manufacturer:Fairchild Description:(2) The technical information described in this material is limited to showing representative characteristics and applied circuit examples of the products. It does not constitute the warranting of industrial property, the granting of relative rights, or the granting of any license. |
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| 相关型号 | |
| ◆ W25Q16FWZPIQ | |
| ◆ BR24L64F-WE2 | |
| ◆ 93LC86C-I/SN | |
| ◆ 93LC46B-I/MS | |
| ◆ M24256-DFDW6TP | |
| ◆ M24C32-WMN6TP | |
| ◆ MT29F64G08AFAAAWP-ITZ | |
| ◆ DS1225Y-150+ | |
| ◆ CY15B102Q-SXE | |
| ◆ AT28C256-15SU | |
| 1PCS | 100PCS | 1K | 10K | ||
| 价 格 | 1 | ||||
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型 号：FQB50N06LTM 厂 家：Fairchild 封 装：TO-252-3 批 号：最新 数 量：26000 说 明： 制造商: Fairchild Semiconductor 产品种类: MOSFET RoHS: 符合RoHS 详细信息 安装风格: SMD/SMT 封装 / 箱体: TO-252-3 通道数量: 1 Channel 晶体管极性: N-Channel Vds-漏源极击穿电压: 60 V Id-连续漏极电流: 52.4 A Rds On-漏源导通电阻: 21 mOhms Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 最大工作温度: + 175 C 技术: Si 封装: Reel 通道模式: Enhancement 商标: Fairchild Semiconductor 配置: Single 下降时间: 145 ns 正向跨导 - 最小值: 40 S 最小工作温度: - 55 C Pd-功率耗散: 3.75 W 上升时间: 380 ns 晶体管类型: 1 N-Channel 典型关闭延迟时间: 80 ns 典型接通延迟时间: 20 ns 单位重量: 1.312 g |
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运 费： 所在地： 新旧程度：全新 |
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| 联系人：朱先生 张小姐 |
| 电 话：0755-22929859/13530907567 |
| 手 机：13530907567微信同号 |
| QQ：2581021098 |
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| 传 真：0755-83238620 |
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