制造商: Broadcom Limited

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS: 环保

晶体管类型: EpHEMT

技术: GaAs

工作频率: 2 GHz

增益: 17 dB

Vds-漏源极击穿电压: 7 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V to 1 V

Id-连续漏极电流: 500 mA

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.5 W

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: LPCC-8

商标: Broadcom / Avago

配置: Single Dual Source

正向跨导 - 小值: 1300 mmho

NF—噪声系数: 1.5 dB

P1dB - 压缩点: 26.5 dBm

产品: RF JFET Transistors

产品类型: RF JFET Transistors

包装数量：100

子类别: Transistors

类型: GaAs EpHEMT

单位重量: 1.347 g

公司优势供应：ATF-38143-TR1G

ATF-36163-TR2G

ATF-38143-TR2G

ATF-331M4-TR1

ATF-33143-TR1G

ATF-541M4-TR1

ATF-35143-TR2G