制造商: Broadcom Limited

产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管

RoHS: 环保

晶体管类型: pHEMT

技术: GaAs

工作频率: 2 GHz

增益: 16 dB

晶体管极性: N-Channel

Vds-漏源极击穿电压: 4.5 V

Vgs-栅源极击穿电压 : - 4 V

Id-连续漏极电流: 145 mA

大工作温度: + 160 C

Pd-功率耗散: 580 mW

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-343

商标: Broadcom / Avago

配置: Single Dual Source

正向跨导 - 小值: 230 mmho

NF—噪声系数: 0.4 dB

P1dB - 压缩点: 12 dBm

产品: RF JFET Transistors

产品类型: RF JFET Transistors

包装数量：100

子类别: Transistors

类型: GaAs pHEMT

公司优势供应：ATF-551M4-TR1

ATF-55143-BLKG

ATF-58143-BLKG

ATF-331M4-BLK

ATF-33143-BLKG

ATF-541M4-BLK

ATF-54143-BLKG