制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-247-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 200 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 40 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 156 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 48 ns

正向跨导 - 小值: 27 S

高度: 20.7 mm

长度: 15.87 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 60 ns

包装数量：800

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 55 ns

典型接通延迟时间: 17 ns

宽度: 5.31 mm

单位重量: 6 g