制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-268-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 500 V

Id-连续漏极电流: 30 A

Rds On-漏源导通电阻: 215 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 240 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 400 W

通道模式: Enhancement

系列: IXTT30N50

商标: IXYS

配置: Single

产品类型: MOSFET

包装数量：30

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

单位重量: 4.500 g