制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: D2PAK-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 900 V

Id-连续漏极电流: 5.4 A

Rds On-漏源导通电阻: 2.3 Ohms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 40 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 3.13 W

通道模式: Enhancement

系列: FQB5N90

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 50 ns

正向跨导 - 小值: 5.6 S

高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 65 ns

包装数量：800

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 65 ns

典型接通延迟时间: 28 ns

宽度: 9.65 mm

零件号别名: FQB5N90TM_NL

单位重量: 4 g