制造商: Vishay

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Id-连续漏极电流: 100 A

Rds On-漏源导通电阻: 7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V

Qg-栅极电荷: 185 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 375 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: TrenchFET

系列: SQ

商标: Vishay / Siliconix

配置: Single

下降时间: 10 ns

正向跨导 - 小值: 115 S

高度: 4.83 mm

长度: 10.67 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 14 ns

包装数量：800

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 44 ns

典型接通延迟时间: 13 ns

宽度: 9.65 mm

单位重量: 4 g