制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V

Id-连续漏极电流: 2.3 A

Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4 V

Qg-栅极电荷: 2 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.25 W

通道模式: Enhancement

商标名: HEXFET

系列: P-Channel Power Mosfet

商标: Infineon Technologies

配置: Single

高度: 1.1 mm

长度: 2.9 mm

产品类型: MOSFET

包装数量：3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

宽度: 1.3 mm

单位重量: 8 mg