制造商: onsemi

产品种类: IGBT 晶体管

RoHS: 环保

技术: Si

封装 / 箱体: TO-247-3

安装风格: Through Hole

配置: Single

集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V

集电极—射极饱和电压: 1.45 V

栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V

在25 C的连续集电极电流: 60 A

Pd-功率耗散: 208 W

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

系列: HGTG30N60B3D

商标: onsemi / Fairchild

集电极连续电流: 60 A

集电极大连续电流 Ic: 60 A

栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA

高度: 20.82 mm

长度: 15.87 mm

产品类型: IGBT Transistors

包装数量：450

子类别: IGBTs

宽度: 4.82 mm

零件号别名: HGTG30N60B3D_NL

单位重量: 6.390 g