![]() |
|||||||
|
|||||||
![]() |
![]() ![]() |
|
产品名称: | IGBT 晶体管 HGTG30N60B3D | 产品型号: | HGTG30N60B3D |
产品类别: | 晶体管- | 产品规格: | TO-247-3 |
产品品牌: | onsemi / Fairchild | 生产厂家: | 进口 |
产品说明: |
制造商: onsemi 产品种类: IGBT 晶体管 RoHS: 环保 技术: Si 封装 / 箱体: TO-247-3 安装风格: Through Hole 配置: Single 集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V 集电极—射极饱和电压: 1.45 V 栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V 在25 C的连续集电极电流: 60 A Pd-功率耗散: 208 W 小工作温度: - 55 C 大工作温度: + 150 C 系列: HGTG30N60B3D 商标: onsemi / Fairchild 集电极连续电流: 60 A 集电极大连续电流 Ic: 60 A 栅极—射极漏泄电流: +/- 250 nA 高度: 20.82 mm 长度: 15.87 mm 产品类型: IGBT Transistors 包装数量:450 子类别: IGBTs 宽度: 4.82 mm 零件号别名: HGTG30N60B3D_NL 单位重量: 6.390 g |