制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 150 V

Id-连续漏极电流: 50 A

Rds On-漏源导通电阻: 16 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V

Qg-栅极电荷: 31 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 125 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

系列: OptiMOS 3

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 6 ns

正向跨导 - 小值: 29 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 53 ns

包装数量：5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: OptiMOS 3 Power-Transistor

典型关闭延迟时间: 25 ns

典型接通延迟时间: 15 ns

宽度: 5.15 mm

零件号别名: SP000416636 BSC19N15NS3GXT BSC190N15NS3GATMA1

单位重量: 100 mg