制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3

晶体管极性: P-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 40 A

Rds On-漏源导通电阻: 9.1 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 83 nC

小工作温度: -

大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 68 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

系列: UMOS VI

商标: Toshiba

下降时间: 150 ns

产品类型: MOSFET

上升时间: 46 ns

包装数量：2000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 465 ns

典型接通延迟时间: 63 ns

零件号别名: TJ40S04M3L,LXHQ(O

单位重量: 360 mg