制造商: Toshiba

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23F-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 107 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V

Qg-栅极电荷: 7 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标名: U-MOSIV

系列: SSM3K318

商标: Toshiba

配置: Single

高度: 0.9 mm

长度: 2.9 mm

产品类型: MOSFET

包装数量：3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 9.5 ns

典型接通延迟时间: 14 ns

宽度: 1.3 mm

单位重量: 11 mg