制造商: Diodes Incorporated

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-23-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 2.5 A

Rds On-漏源导通电阻: 85 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V

Qg-栅极电荷: 12.3 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 1.15 W

通道模式: Enhancement

系列: DMN60

商标: Diodes Incorporated

配置: Single

下降时间: 11 ns

高度: 1 mm

长度: 3 mm

产品: Enhancement Mode MOSFET

产品类型: MOSFET

上升时间: 4.1 ns

包装数量：3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: Enhancement Mode MOSFET

典型关闭延迟时间: 35 ns

典型接通延迟时间: 3.5 ns

宽度: 1.4 mm

单位重量: 8 mg