制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: Through Hole

封装 / 箱体: TO-220-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 250 V

Id-连续漏极电流: 60 A

Rds On-漏源导通电阻: 33 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 30 V, + 30 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.8 V

Qg-栅极电荷: 99 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 390 W

通道模式: Enhancement

商标: Infineon Technologies

配置: Single

正向跨导 - 小值: 100 S

高度: 15.65 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

包装数量：1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

宽度: 4.4 mm

零件号别名: IRFB4332PBF SP001556040

单位重量: 2 g