制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: DPAK-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 60 V

Id-连续漏极电流: 11 A

Rds On-漏源导通电阻: 115 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V

Qg-栅极电荷: 4.8 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 2.5 W

通道模式: Enhancement

系列: FQD13N06L

商标: onsemi / Fairchild

配置: Single

下降时间: 40 ns

正向跨导 - 小值: 6 S

高度: 2.39 mm

长度: 6.73 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 90 ns

包装数量：2500

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

类型: MOSFET

典型关闭延迟时间: 20 ns

典型接通延迟时间: 8 ns

宽度: 6.22 mm

零件号别名: FQD13N06LTM_NL

单位重量: 330 mg