制造商: onsemi

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: SOT-363-6

晶体管极性: N-Channel, P-Channel

通道数量: 2 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 30 V, 20 V

Id-连续漏极电流: 250 mA, 880 mA

Rds On-漏源导通电阻: 1.5 Ohms, 500 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V, - 12 V, + 12 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 800 mV, 450 mV

Qg-栅极电荷: 900 pC, 2.2 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 270 mW

通道模式: Enhancement

系列: NTJD4158C

商标: onsemi

配置: Dual

下降时间: 78 ns, 3.5 ns

正向跨导 - 小值: 0.08 S, 3 S

高度: 0.9 mm

长度: 2 mm

产品: MOSFET Small Signal

产品类型: MOSFET

上升时间: 66 ns, 6.5 ns

包赚数量：3000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel

典型关闭延迟时间: 56 ns, 13.5 ns

典型接通延迟时间: 15 ns, 5.8 ns

宽度: 1.25 mm

单位重量: 7.500 mg