制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-263-3

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 80 A

Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 3 V

Qg-栅极电荷: 103 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 300 W

通道模式: Enhancement

资格: AEC-Q101

商标: Infineon Technologies

配置: Single

下降时间: 22 ns

正向跨导 - 小值: -

高度: 4.4 mm

长度: 10 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 63 ns

包装数量：1000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 46 ns

典型接通延迟时间: 23 ns

宽度: 9.25 mm

零件号别名: IPB80N04S2-H4 SP001058130

单位重量: 4 g