制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

RoHS: 环保

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 80 V

Id-连续漏极电流: 49 A

Rds On-漏源导通电阻: 11.7 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V

Qg-栅极电荷: 15 nC

小工作温度: - 55 C

大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 50 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

系列: OptiMOS 5

商标: Infineon Technologies

配置: Single

开发套件: EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7

下降时间: 3 ns

正向跨导 - 小值: 19 S

高度: 1.27 mm

长度: 5.9 mm

产品类型: MOSFET

上升时间: 4 ns

包装数量：5000

子类别: MOSFETs

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 16 ns

典型接通延迟时间: 10 ns

宽度: 5.15 mm

零件号别名: BSC117N08NS5 SP001295028

单位重量: 104.400 mg