制造商: Infineon 

产品种类: MOSFET 

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: TO-263-7 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 49 V 

Id-连续漏极电流: 36 A 

Rds On-漏源导通电阻: 6.5 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 1.6 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 155 nC 

工作温度: - 40 C 

工作温度: + 175 C 

Pd-功率耗散: 300 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

资格: AEC-Q101 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

高度: 4.4 mm  

长度: 10 mm  

系列: BTS282  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 9.25 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 值: 30 S  

下降时间: 36 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 37 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 70 ns  

典型接通延迟时间: 30 ns  

零件号别名: BTS282Z E3180A SP000910848  

单位重量: 1.600 g