制造商: Microchip 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: SOT-23-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 60 V 

Id-连续漏极电流: 280 mA 

Rds On-漏源导通电阻: 2.5 Ohms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 0.6 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 10 V 

工作温度: - 55 C 

工作温度: + 150 C 

配置: Single 

Pd-功率耗散: 360 mW 

通道模式: Enhancement 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

高度: 0.95 mm  

长度: 2.9 mm  

产品: MOSFET Small Signal  

晶体管类型: 1 N-Channel  

类型: FET  

宽度: 1.3 mm  

商标: Microchip Technology  

正向跨导 - 值: 150 mS  

下降时间: 5 ns  

上升时间: 5 ns  

工厂包装数量: 3000  

典型关闭延迟时间: 6 ns  

典型接通延迟时间: 3 ns  

单位重量: 8 mg