产品种类:  IGBT 晶体管    

制造商:  ON Semiconductor    

RoHS:   详细信息   

封装 / 箱体:  TO-247-3    

安装风格:  Through Hole    

配置:  Single    

集电极—发射极电压 VCEO:  600 V    

集电极—射极饱和电压:  1.5 V    

栅极/发射极电压:  +/- 20 V    

在25 C的连续集电极电流:  63 A    

Pd-功率耗散:  208 W    

工作温度:  - 40 C    

工作温度:  + 150 C    

系列:  HGTG30N60C3D    

封装:  Tube    

商标:  ON Semiconductor / Fairchild   

集电极连续电流:  63 A   

集电极连续电流 Ic:  63 A   

栅极—射极漏泄电流:  +/- 100 nA   

高度:  20.82 mm   

长度:  15.87 mm   

工厂包装数量:  30   

技术:  Si   

宽度:  4.82 mm   

零件号别名:  HGTG30N60C3D_NL   

单位重量:  6.390 g