制造商: IXYS

产品种类: MOSFET

RoHS: 符合RoHS 详细信息

Id-连续漏极电流: 75 A

Vds-漏源极击穿电压: 100 V

Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms

晶体管极性: N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 : 20 V

工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 300 W

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TO-268-2

封装: Tube

商标: IXYS

通道模式: Enhancement

配置: Single

下降时间: 30 ns

工作温度: - 55 C

上升时间: 60 ns

系列: IXTT75N10

工厂包装数量: 30

典型关闭延迟时间: 100 ns

典型接通延迟时间: 40 ns

单位重量: 4.500 g