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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 环保
技术: Si
封装 / 箱体: TO-263-3
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 1.2 kV
栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V
小工作温度: - 40 C
大工作温度: + 150 C
系列: IGB03N120
商标: Infineon Technologies
集电极大连续电流 Ic: 9.6 A
高度: 4.4 mm
长度: 10.25 mm
产品类型: IGBT Transistors
包装数量：1000
子类别: IGBTs
宽度: 9.9 mm
零件号别名: SP000014616 IGB3N12H2XT IGB03N120H2ATMA1
单位重量: 2 g
