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类别：分立半导体产品：晶体管：FET，MOSFET：单 FET，MOSFET
制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.
包装：卷带（TR）：剪切带（CT）
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：21A（Ta），34A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）：4 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）：2.2V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）：45 nC @ 10 V
Vgs（大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）：1540 pF @ 15 V
功率耗散（大值）：3.1W（Ta），31W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-DFN-EP（3x3）
封装/外壳：8-PowerVDFN
基本产品编号：AON75
