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类别：分立半导体产品：晶体管：FET，MOSFET：单 FET，MOSFET
制造商：Infineon Technologies
系列：CoolMOS™
包装：管件
产品状态：不适用于新设计：FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：560 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：32A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）：110 毫欧 @ 20A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）：3.9V @ 1.8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）：170 nC @ 10 V
Vgs（大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）：4200 pF @ 25 V
功率耗散（大值）：284W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：PG-TO247-3-1
封装/外壳：TO-247-3
基本产品编号：SPW32N50
