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制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 5 A
Rds On-漏源导通电阻: 52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 900 mV
Qg-栅极电荷: 10.2 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.4 W
通道模式: Enhancement
系列: DMG2305
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 34.7 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 13.7 ns
包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 79.3 ns
典型接通延迟时间: 10.8 ns
单位重量: 8 mg
