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供应: 晶体管 IPW65R070C6

来源: 发布时间:2019-6-24 17:11:55 浏览点击数:218

制造商: Infineon 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: Through Hole 

封装 / 箱体: TO-247-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 650 V 

Id-连续漏极电流: 53.5 A 

Rds On-漏源导通电阻: 63 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.5 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 170 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 150 C 

Pd-功率耗散: 391 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: CoolMOS 

封装: Tube 

高度: 21.1 mm  

长度: 16.13 mm  

系列: CoolMOS C6  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 5.21 mm  

商标: Infineon Technologies  

下降时间: 6 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 17 ns  

工厂包装数量: 240  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 90 ns  

典型接通延迟时间: 17 ns