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供应:IGBT 晶体管 IKW40N120H3

来源: 发布时间:2019-6-24 16:15:05 浏览点击数:341

制造商: Infineon 

产品种类: IGBT 晶体管 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

封装 / 箱体: TO-247-3 

安装风格: Through Hole 

配置: Single 

集电极—发射极电压 VCEO: 1200 V 

集电极—射极饱和电压: 2.05 V 

栅极/发射极电压: 20 V 

在25 C的连续集电极电流: 80 A 

Pd-功率耗散: 483 W 

工作温度: - 40 C 

工作温度: + 175 C 

系列: HighSpeed 3 

封装: Tube 

集电极连续电流 Ic: 80 A  

商标: Infineon Technologies  

栅极—射极漏泄电流: 600 nA  

产品类型: IGBT Transistors  

工厂包装数量: 240  

子类别: IGBTs  

商标名: TRENCHSTOP  

零件号别名: IKW40N120H3FKSA1 IKW4N12H3XK SP000674416  

单位重量: 38 g