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供应: 晶体管 IPB020N10N5

来源: 发布时间:2019-6-24 16:13:26 浏览点击数:310

制造商: Infineon 

产品种类: MOSFET 

RoHS:  详细信息  

技术: Si 

安装风格: SMD/SMT 

封装 / 箱体: TO-263-3 

通道数量: 1 Channel 

晶体管极性: N-Channel 

Vds-漏源极击穿电压: 100 V 

Id-连续漏极电流: 120 A 

Rds On-漏源导通电阻: 1.7 mOhms 

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.2 V 

Vgs - 栅极-源极电压: 20 V 

Qg-栅极电荷: 210 nC 

最小工作温度: - 55 C 

最大工作温度: + 175 C 

Pd-功率耗散: 375 W 

配置: Single 

通道模式: Enhancement 

商标名: OptiMOS 

封装: Cut Tape 

封装: MouseReel 

封装: Reel 

高度: 4.4 mm  

长度: 10 mm  

系列: OptiMOS 5  

晶体管类型: 1 N-Channel  

宽度: 9.25 mm  

商标: Infineon Technologies  

正向跨导 - 最小值: 124 S  

下降时间: 29 ns  

产品类型: MOSFET  

上升时间: 26 ns  

工厂包装数量: 1000  

子类别: MOSFETs  

典型关闭延迟时间: 77 ns  

典型接通延迟时间: 33 ns  

零件号别名: IPB020N10N5ATMA1 SP001132558  

单位重量: 2 g