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制造商: IXYS
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: PLUS-264-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 800 V
Id-连续漏极电流: 50 A
Rds On-漏源导通电阻: 150 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 30 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 890 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
商标名: HyperFET
封装: Tube
高度: 26.59 mm
长度: 20.29 mm
系列: IXFB50N80
晶体管类型: 1 N-Channel
宽度: 5.31 mm
商标: IXYS
下降时间: 13 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 25 ns
工厂包装数量: 25
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 60 ns
典型接通延迟时间: 26 ns
单位重量: 1.600 g
