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制造商: NXP
产品种类: 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
晶体管极性: NPN
配置: Single
集电极—发射极电压 VCEO: 4.3 V
集电极—基极电压 VCBO: 12 V
发射极 - 基极电压 VEBO: 1.5 V
直流电集电极电流: 0.035 A
增益带宽产品fT: 110000 MHz
工作温度: - 65 C
工作温度: + 150 C
商标: NXP Semiconductors
直流集电极/Base Gain hfe Min: 220 at 6 mA, 2 V
Pd-功率耗散: 150 mW
产品类型: BJTs - Bipolar Transistors
子类别: Transistors
