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制造商: STMicroelectronics
产品种类: MOSFET
RoHS: 详细信息
技术: Si
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-247-3
通道数量: 1 Channel
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 600 V
Id-连续漏极电流: 20 A
Rds On-漏源导通电阻: 140 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: 25 V
工作温度: - 55 C
工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 160 W
配置: Single
通道模式: Enhancement
封装: Tube
高度: 20.15 mm
长度: 15.75 mm
系列: STB25NM60N
晶体管类型: 1 N-Channel
类型: MOSFET
宽度: 5.15 mm
商标: STMicroelectronics
正向跨导 - 值: 17 S
下降时间: 24 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 18 ns
工厂包装数量: 30
子类别: MOSFETs
典型关闭延迟时间: 94 ns
典型接通延迟时间: 24.5 ns
单位重量: 38 g
