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制造商: Infineon
产品种类: IGBT 模块
产品: IGBT Silicon Modules
配置: IGBT-Inverter
集电极—发射极电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.55 V
在25 C的连续集电极电流: 25 A
栅极—射极漏泄电流: 400 nA
Pd-功率耗散: 71.5 W
封装 / 箱体: Module
工作温度: - 40 C
工作温度: + 150 C
封装: Tray
商标: Infineon Technologies
安装风格: SMD/SMT
栅极/发射极电压: +/- 20 V
工厂包装数量: 40
零件号别名: FS20R06VE3BOMA1 SP000100335
单位重量: 10 g
