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制造商: Broadcom Limited
产品种类: 射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
RoHS: 环保
晶体管类型: EpHEMT
技术: GaAs
工作频率: 2 GHz
增益: 17.7 dB
晶体管极性: N-Channel
Vds-漏源极击穿电压: 5 V
Vgs-栅源极击穿电压 : - 5 V to 1 V
Id-连续漏极电流: 100 mA
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 270 mW
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-343
商标: Broadcom / Avago
配置: Single Dual Source
正向跨导 - 小值: 220 mmho
NF—噪声系数: 0.6 dB
P1dB - 压缩点: 14.4 dBm
产品: RF JFET Transistors
产品类型: RF JFET Transistors
包装数量：10000
子类别: Transistors
类型: GaAs EpHEMT
公司优势供应：ATF-551M4-TR2
ATF-53189-TR1
ATF-531P8-TR1
MGA-631P8-TR1G
VMMK-1218-TR1G
ATF-52189-TR1
ATF-521P8-TR1
