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制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOIC-8
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 16 A
Rds On-漏源导通电阻: 5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.3 V
Qg-栅极电荷: 64.2 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2.5 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
下降时间: 43.6 ns
正向跨导 - 小值: 16.4 S
产品类型: MOSFET
上升时间: 14.8 ns
包装数量：2500
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 85.1 ns
典型接通延迟时间: 10.3 ns
单位重量: 750 mg
