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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: TO-263-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 55 V
Id-连续漏极电流: 70 A
Rds On-漏源导通电阻: 20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 180 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 170 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Single
下降时间: 64 ns
正向跨导 - 小值: 19 S
高度: 2.3 mm
长度: 6.5 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 99 ns
包装数量：800
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
宽度: 6.22 mm
单位重量: 4 g
