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制造商: Infineon
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: Micro-8
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 1.7 A
Rds On-漏源导通电阻: 270 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V
Qg-栅极电荷: 5.4 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 1.25 W
通道模式: Enhancement
商标: Infineon Technologies
配置: Dual
下降时间: 43 ns
正向跨导 - 小值: 1.3 S
高度: 1.11 mm
长度: 3 mm
产品类型: MOSFET
上升时间: 35 ns
包装数量：4000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 2 P-Channel
典型关闭延迟时间: 38 ns
典型接通延迟时间: 9.1 ns
宽度: 3 mm
单位重量: 191.170 mg
