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类别:分立半导体产品:晶体管:FET,MOSFET:单 FET,MOSFET
制造商:Vishay Siliconix
系列:TrenchFET®
包装:卷带(TR):剪切带(CT)
FET 类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):96A(Tc)
驱动电压(大 Rds On,小 Rds On):4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值):7.4 毫欧 @ 20A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(大值):3V @ 250μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值):144 nC @ 10 V
Vgs(大值):±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值):5800 pF @ 25 V
功率耗散(大值):136W(Tc)
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
供应商器件封装:TO-252AA
封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号:SUD50