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单 FET,SUD50N06-07L-GE3

来源: 发布时间:2023-6-10 10:31:04 浏览点击数:132

类别:分立半导体产品:晶体管:FET,MOSFET:单 FET,MOSFET

制造商:Vishay Siliconix

系列:TrenchFET®

包装:卷带(TR):剪切带(CT)

FET 类型:N 通道

技术:MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss):60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):96A(Tc)

驱动电压(大 Rds On,小 Rds On):4.5V,10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻(大值):7.4 毫欧 @ 20A,10V

不同 Id 时 Vgs(th)(大值):3V @ 250μA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(大值):144 nC @ 10 V

Vgs(大值):±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(大值):5800 pF @ 25 V

功率耗散(大值):136W(Tc)

工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)

安装类型:表面贴装型

供应商器件封装:TO-252AA

封装/外壳:TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

基本产品编号:SUD50