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制造商: Diodes Incorporated
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23-3
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 60 V
Id-连续漏极电流: 300 mA
Rds On-漏源导通电阻: 3 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1 V
Qg-栅极电荷: 223 pC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 540 mW
通道模式: Enhancement
系列: 2N7002E
商标: Diodes Incorporated
配置: Single
正向跨导 - 小值: 80 mS
高度: 1 mm
长度: 2.9 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 11 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
宽度: 1.3 mm
单位重量: 8 mg
