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制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-23F-3
晶体管极性: P-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 30 V
Id-连续漏极电流: 4 A
Rds On-漏源导通电阻: 71 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 10 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 5.9 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 2 W
通道模式: Enhancement
资格: AEC-Q101
商标名: U-MOSVI
系列: SSM3J374R
商标: Toshiba
配置: Single
正向跨导 - 小值: 2.3 S
产品类型: MOSFET
包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 22 ns
典型接通延迟时间: 13 ns
单位重量: 11 mg
