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类别：分立半导体产品：晶体管：FET，MOSFET：单 FET，MOSFET
制造商：Infineon Technologies
包装：管件
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：35A（Tc）
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值）：39 毫欧 @ 21A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（大值）：5V @ 100μA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值）：40 nC @ 10 V
Vgs（大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值）：1750 pF @ 50 V
功率耗散（大值）：144W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：通孔
供应商器件封装：TO-220AB
封装/外壳：TO-220-3
基本产品编号：IRFB5615
