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制造商: onsemi
产品种类: MOSFET
RoHS: 环保
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: SOT-523-3
晶体管极性: N-Channel, P-Channel
通道数量: 2 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 20 V
Id-连续漏极电流: 600 mA, 350 mA
Rds On-漏源导通电阻: 700 mOhms, 1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压: - 12 V, + 12 V, - 8 V, + 8 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 1.5 V, 600 mV
Qg-栅极电荷: 1.1 nC, 1.4 nC
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 150 C
Pd-功率耗散: 625 mW
通道模式: Enhancement
商标名: PowerTrench
系列: FDY4000CZ
商标: onsemi / Fairchild
配置: Dual
下降时间: 8 ns, 13 ns
正向跨导 - 小值: 1.8 S, 1 S
高度: 0.78 mm
长度: 1.6 mm
产品: MOSFET Small Signal
产品类型: MOSFET
上升时间: 8 ns, 13 ns
包装数量：3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
类型: MOSFET
典型关闭延迟时间: 8 ns, 8 ns
典型接通延迟时间: 6 ns, 6 ns
宽度: 0.88 mm
单位重量: 2 mg
