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制造商: STMicroelectronics
产品种类: IGBT 晶体管
RoHS: 环保
技术: Si
封装 / 箱体: D2PAK
安装风格: SMD/SMT
配置: Single
集电极—发射极大电压 VCEO: 600 V
集电极—射极饱和电压: 1.5 V
栅极/发射极大电压: - 20 V, + 20 V
在25 C的连续集电极电流: 20 A
Pd-功率耗散: 115 W
小工作温度: - 55 C
大工作温度: + 175 C
系列: STGB10H60DF
商标: STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流: 250 nA
产品类型: IGBT Transistors
包装数量：1000
子类别: IGBTs
单位重量: 2 g
