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类别 | 分立半导体产品 晶体管 FET，MOSFET 单 FET，MOSFET | |
制造商 | Infineon Technologies | |
系列 | OptiMOS™ | |
Product Status | 在售 | |
FET 类型 | N 通道 | |
技术 | MOSFET（金属氧化物） | |
漏源电压（Vdss） | 60 V | |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 300A（Tc） | |
驱动电压（大 Rds On，小 Rds On） | 6V，10V | |
不同 Id、Vgs 时导通电阻（大值） | 0.75 毫欧 @ 150A，10V | |
不同 Id 时 Vgs(th)（大值） | 3.3V @ 280μA | |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（大值） | 287 nC @ 10 V | |
Vgs（大值） | ±20V | |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（大值） | 16000 pF @ 30 V | |
FET 功能 | - | |
功率耗散（大值） | 375W（Tc） | |
工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | |
安装类型 | 表面贴装型 | |
供应商器件封装 | PG-HSOF-8-1 | |
封装/外壳 | 8-PowerSFN | |
基本产品编号 | IPT007 |
