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晶体管 MOSFET SPI20N60C3

来源: 发布时间:2021-3-8 8:30:19 浏览点击数:114

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS: 详细信息

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-262-3

晶体管极性:N-Channel

通道数量:1 Channel

Vds-漏源极击穿电压:600 V

Id-连续漏极电流:20.7 A

Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

Qg-栅极电荷:87 nC

工作温度:- 55 C  +15C

Pd-功率耗散:208 W

通道模式:Enhancement

商标名:CoolMOS

封装:Tube

配置:Single

高度:9.45 mm

长度:10.2 mm

系列:CoolMOS C3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.5 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:6.4 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:15 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:59 ns

典型接通延迟时间:12 ns

单位重量:2.387 g