 |
|||||||
|
|||||||
|
|
|||||||
|
|||||||
|
|
制造商:Infineon
产品种类:MOSFET
RoHS: 详细信息
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-262-3
晶体管极性:N-Channel
通道数量:1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:20.7 A
Rds On-漏源导通电阻:190 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:- 20 V, + 20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V
Qg-栅极电荷:87 nC
工作温度:- 55 C +15C
Pd-功率耗散:208 W
通道模式:Enhancement
商标名:CoolMOS
封装:Tube
配置:Single
高度:9.45 mm
长度:10.2 mm
系列:CoolMOS C3
晶体管类型:1 N-Channel
宽度:4.5 mm
商标:Infineon Technologies
下降时间:6.4 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:15 ns
工厂包装数量:500
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:59 ns
典型接通延迟时间:12 ns
单位重量:2.387 g
