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制造商:STMicroelectronics
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS: 详细信息
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-247-3
晶体管极性:NPN
配置:Single
集电极—发射极大电压 VCEO:250 V
集电极—基极电压 VCBO:500 V
发射极 - 基极电压 VEBO:7 V
集电极—射极饱和电压:0.8 V
Pd-功率耗散:180 W
工作温度:- 65 C +150C
系列:BUTW92
封装:Tube
直流电流增益 hFE 大值:65
高度:20.15 mm
长度:15.75 mm
技术:Si
宽度:5.15 mm
商标:STMicroelectronics
集电极连续电流:60 A
直流集电极/Base Gain hfe Min:9
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:600
子类别:Transistors
单位重量:6.500 g
